品牌型号:三星内存条DDR2&&DDR3
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ddr2和ddr3的插槽不一样 。ddr2和ddr3是两代不同的内存条 , DDR2和DDR3内存模块的插槽是不兼容的 , 它们具有不同的物理接口 。无法将DDR3内存模块插入DDR2插槽中 , 反之亦然 。而且DDR3内存比DDR2内存工作时的电压更低 。DDR2内存通常使用1.8伏特的电压 , 而DDR3内存通常使用1.5伏特的电压 。这种降低的电压有助于降低功耗和热量产生 。
ddr2和ddr3的注意区别:
1、逻辑Bank数量 。DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计 , 目的就是为了应对未来大容量芯片的需求 。而DDR3很可能将从2Gb容量起步 , 因此起始的逻辑Bank就是8个 , 另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备 。
2、封装 。由于DDR3新增了一些功能 , 在引脚方面会有所增加 , 8bit芯片采用78球FBGA封装 , 16bit芯片采用96球FBGA封装 , 而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格 。并且DDR3必须是绿色封装 , 不能含有任何有害物质 。
3、突发长度 。由于DDR3的预取为8bit , 所以突发传输周期(BL , Burst Length)也固定为8 , 而对于DDR2和早期的DDR架构的系统 , BL=4也是常用的 , DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop(突发突变)模式 , 即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输 , 届时可通过A12地址线来控制这一突发模式 。
【ddr2和ddr3的插槽一样吗】4、寻址时序 。就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样 , DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高 。DDR2的CL范围一般在2至5之间 , 而DDR3则在5至11之间 , 且附加延迟(AL)的设计也有所变化 。DDR2时AL的范围是0至4 , 而DDR3时AL有三种选项 , 分别是0、CL-1和CL-2 。—写入延迟(CWD) , 这一参数将根据具体的工作频率而定 。
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