半导体材料物理学家王占国 _生活百科

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王占国(半导体材料物理学家)【半导体材料物理学家王占国】王占国，男，汉族，1938年12月29日生于河南省镇平县，1962年毕业于南开大学物理系。中国科学院半导体所研究员，半导体材料物理学家。
基本介绍中文名：王占国
国籍：中国
民族：汉族
出生地：河南南阳镇平县
出生日期：1938年12月29日
毕业院校：南开大学
性别：男
院士简介半导体材料物理学家。1938年12月29日生于河南省南阳市镇平县。1962年毕业于南开大学物理系。中国科学院半导体所研究员。早期致力于半导体材料光电性质和硅太阳电池辐照效应研究。从1980年起，主要从事半导体深能级物理和光谱物理研究，提出了识别两个深能级共存系统两者是否是同—缺陷不同能态的新方法，解决了国际上对GaAs中A、B能级和硅中金受主及金施主能级本质的长期争论。提出混晶半导体中深能级展宽和光谱谱线分裂的物理模型，解释了它们的物理起因。提出了GaAs电学补偿五能级模型和电学补偿新判据。协助林兰英先生，首次在太空从熔体中生长了GaAs单品并对其光电性质作了系统研究。近年来，他领导的实验组又在应变自组装In(Ga)As/GaAs，In(Ga)As/InAlAs/InP等量子点(线)．与量子点(线)超晶格材料生长和大功率量子点雷射器研製方面获得突破。最近，他又提出了柔性衬底的概念，开拓了大失配材料体系研製的新方向。1995年当选为中国科学院院士。

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王占国个人生平1962年毕业于南开大学物理系，同年到中科院半导体所工作。1980年10月－1983年11月赴瑞典隆德大学固体物理系进修，从事半导体深能级物理和光谱物理研究。1986年任半导体所研究员，材料室主任；1990年博士生导师，副所长；

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王占国从1990年起先后任中科院半导体材料科学实验室主任、学委会主任，国际半导体和半绝缘材料，国际半导体缺陷识别、成像与物理会议等多个顾问委员会委员；2002年国际材联电子材料会议副主席兼程式委员会主席；2004年和2005年国际半导体和绝缘体材料会议和国际半导体缺陷识别、成像与物理会议主席。1991–2001年任国家高技术新材料领域专家委员会委员、常委、功能材料专家组组长，因对“863”计画做出突出贡献，2001年“863”计画十五周年时，被科技部授予先进个人称号；1996–2000年任国家S-863计画纲要建议软课题研究新材料技术领域专家组组长；2003年国家材料中长期科技发展战略研究新材料专家组组长；1996－2002年和2006－国家自然科学基金信息学部半导体学科评审专家组组长；国家科技奖励评审专家；天津经济技术开发区、河南郑州经济技术开发区等顾问；从1992年起先后任南京大学、西安交大、山东大学、河南大学和南开大学等多所高校兼职教授和多个国家、部门开放实验室学术委员、副主任和主任委员；多个国内学术刊物编委，中国电子学会高级会员、常务理事、半导体和集成技术分会主任，中国材料研究学会常务理事、副理事长；北京市人民政府第八届专家顾问团顾问和天津市人民政府特聘专家等。1995年当选为中国科学院院士，现任信息学部常委。个人成就主要从事半导体材料、器件辐照效应和光学、电学性质研究。其中，硅太阳电池电子、质子辐照效应研究成果为我国人造卫星用硅太阳电池定型(由PN改为NP)投产起了关键作用；受中国人民解放军第14研究院的委託，他负责制定了我国电子材料、器件和积体电路辐照效应研究方案和实施计画，电子材料、器件和积体电路的电子、质子、中子和射线的静态、动态和核爆瞬态辐照实验结果为中国航天事业、核加固、核突围和电子对抗等国防工程做出了贡献。

半导体材料物理学家 王占国

半导体材料物理学家王占国