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3.6 灵敏度 ()
CMOS对入射光功率的响应能力用灵敏度参数衡量 , 常用的定义是在1μm2单位像素面积上 , 标准曝光条件下(1Lux照度 , F5.6光圈) , 在1s时间内积累的光子数能激励出多少mV的输出电压 。
在量子效率一定的情况下 , 的灵敏度主要取决于电荷/电压转换系数(/ , CVF) 。在下图的例子中 , CVF =220uV/e , 这意味着阱容2000e的像素能够激励出最大440mV的电压信号 。
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在曝光、增益相同的条件下 , 灵敏度高的信噪比更高 , 这意味着至少在两个方面可以获得比较优势 ,
EMVA 1288 定义了评价 灵敏度的标准 , 即多少个光子可以引起像素值变化1 , 即一个DN 。根据量子力学的公式 ,
1个波长为540 nm的绿光光子携带的能量是
技术手册中会给出像素灵敏度规格 ,
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根据此规格即可计算像素值变化1需要多少个光子 。下面的链接给出了一个具体的例子 。
下图给出了普通灵敏度和高灵敏度在噪声、亮度方面的效果对比 。
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high
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3.7 填充系数 (Fill )
一个像素不管实际面积多少 , 用于控制和读出的三极管和电路连线所占的面积是必须首先保证的 , 余下的面积才能用于制造感光PN结 。假设一个像素小到只能勉强容纳几个必须的三极管 , 则填充系数降为零 , 这个像素就失去了意义 。反之 , 像素面积越大 , 三极管和电路所占面积的比例就越小 , 像素的填充系数就越高 , 像素的成像质量也会越好 。
下图是一个像素版图的例子 , 这是一个采用PPD结构设计的像素 , 尽管面积很大 , 但实际也只取得了60%的填充系数 。
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为了大幅度地提高填充系数 , 人们不得不费心费力地在每个像素上方制造一个微透镜 , 将较大范围内的入射光会聚到较小的感光面上 , 这样可以将光能利用率提高到90%以上 , 也就是通过微透镜提高了等效填充系数 , 如下图所示 。
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3.8 像素尺寸(pixel pitch)
最小的像素通常是出现在手机上 , 典型尺寸1.1um , 这差不多已经到了实用的极限了 , 安防和机器视觉常用2.2um~4.2um大小的像素 , 而单反和广播级的则倾向于用更大尺寸的像素 。
关于像素尺寸有两个非常经典的问题 , 假设你有两个桶 , 一大一小 , 那么
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如果外边雨下的特别大 , 哪个桶先盛满水? OK , 很显然是小的桶先满 。如果外边的雨是一滴一滴地偶尔掉下来 , 哪个桶更容易接到水? OK , 很显然是大的那个 。
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