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1.4 BANKSIZE寄存器配置

生活百科数据寄存器

目录
1.配置内存控制器的寄存器
1.寄存器设置
1.寄存器设置
1.寄存器配置
1.4 寄存器配置
【1.4 BANKSIZE寄存器配置】1.寄存器配置
2.代码
2.1init.h
2.2init.c
2.3main.c
1.配置内存控制器的寄存器
我们的在访问SDRAM的时候，首先发出地址，然后内存控制器首先根据地址范围发出片选信号nGCS6，然后根据片选信号的类型得知是SDRAM,然后拆分地址为 bank地址，行地址和列地址，具体应该怎么把地址拆分成bank地址，行地址，列地址则由我们配置的SDRAM寄存器决定，然后开始读数据 。
1.寄存器设置
由于我们的SDRAM只连接到了片选6上面，所以我们只看该寄存器的与6相关的几项，由于我们使用了两篇SDRAM组成32位的，所以DW6我们设置成10，WS6表示是否使用wait信号，wait信号是指如果内存芯片的速度很慢，当cpu发出读写命令之后，内存控制器开始驱动相关引脚，在这些时间之内内存芯片还是没有把数据准备好，那么内存芯片可以向内存控制器发出一个wati信号，请求再宽限一点时间，在我们的原理图里面我们根本没用到这个wait信号，这里设置成0，ST6表示SRAM是否使用UB/LB引脚，我们是SDRAM不是SRAM，这个也用不到 。
1.寄存器设置
其中MT表示外部接的是ROM SRAM还是SDRAM，这里我们设置成11. SCAN用来设置列地址占据多少位，这个要看内存芯片的芯片手册得到列地址占据多少位，这里我们通过看芯片手册得到列地址占据9位 。然后我们的内存控制器是先发出行地址，再发出列地址，然后行地址和列地址之间会有一个时间间隔，这个时间间隔也许要看内存芯片的芯片手册，这里通过看芯片手册得到是20ns，所以我们这里设置成是两个时钟周期 。
1.寄存器配置
动态内存是在使用过程中需要不断的刷新， 否则里面的数据会丢失， 首先REFEN位肯定要，我们使用自动刷新模式，然后 里面的 这个值可以看SDRAM芯片手册， 然后发现64ms刷新8192次，那么刷新周期是64/8192=7.8ms. 然后我们的HCLK正好是100M,所以正好与寄存器配置表的里面例子重合，那么就是1269等于16进制的0x4F5.然后看一下Trp,这个是行地址信号的充电时间，我们直接在内存芯片手册里面搜索这个Trp发现是20ns，也就是两个时钟周期，然后看一下Tsrc,我们再内存芯片手册里面根本搜不到这个名字，但是我们在寄存器的注释里面发现一个公式，Trc = Tsrc + Trp，所以我们去内存芯片手册找一下Trc,发现是70ns，那么可以得到Tsrc是50ns 。
1.4 寄存器配置

1.4 BANKSIZE寄存器配置

文章插图
先看,我们bank6接了两个SDRAM组成了64M的内存，然后BURST-EN是指突发访问，也就是可以一次访问多个字节 。然后休眠模式使能，然后使用推荐值 。
1.寄存器配置
我们看一下CL，内存控制器读的时候，发出bank地址，行地址，列地址，然后要等待一会才有数据，具体等待时间要看一下我们的SDRAM的芯片手册，SDRAM里面有个MR模式寄存器，里面有一项CL，我们的内存控制器设置了MRSR寄存器之后，它就会向SDRAM发出指定的信号来设置MR使得里面的CL等于某个值 。
2.代码
我们在之前uart代码的基础上增加两个文件，init.h和init.c 。
2.1init.h
#ifndef _INIT_H#define _INIT_Hvoid sdram_init(void);int sdram_test(void);#endif
2.2init.c
#include "s3c2440_soc.h"void sdram_init(void){BWSCON = 0x22000000;BANKCON6 = 0x18001;BANKCON7 = 0x18001;REFRESH= 0x8404f5;BANKSIZE = 0xb1;MRSRB6= 0x20;MRSRB7= 0x20;}int sdram_test(void){volatile unsigned char *p = (volatile unsigned char *)0x30000000;int i;// write sdramfor (i = 0; i


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