文章目录三.读写SDRAM
SDRAM: ， 同步动态随机存储器 ， 同步是指内存工作需要同步时钟 ， 内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储 ， 而是自由指定地址进行数据读写
一.内部结构
原理图如下：
存储逻辑结构：
可以看出SDRAM的内部是一个阵列 ， 就像表格一样 ， 其寻址方式是按照块、行、列来的 ， 即先选定SDRAM芯片 ， 然后发出块信号确定那一块 ， 再发出行信号确定哪一行 ， 再发出列信号确定哪一列 。
CPU对SDRAM的访问可以分为以下几步：
看起来很简单 ， 但是我们要考虑到 ， 不同规格SDRAM对应着不同的寻址方式 ， 因为不同的SDRAM可能行列数不一样 ， 对时序要求不一样 ， 所以在访问SDRAM之前 ， 我们要配置存储控制器中的一些寄存器来匹配SDRAM！！！
二.相关寄存器
存储控制器一共有13个寄存器 ， 6种寄存器 ， 对BANK0~BANK5进行访问时 ， 只需要配置和寄存器 ， 但是对SDRAM访问 ， 不仅仅需要对这俩个寄存器进行配置 ， 还需要额外配置4个寄存器 。
下面以访问SDRAM为例子介绍一下这些寄存器（按照芯片手册中的顺序来介绍）：
文章插图
位宽&等待控制寄存器
所以 ， 寄存器要或运算的值为：
【S3C2440—8.读写SDRAM】BANK控制寄存器 ， 用来控制外接设备的访问时序的 ， BANK0~BANK5默认
对于SDRAM的访问 ， 我们需要配置的就是图中阴影部分的：
所以 ， 寄存器要或运算的值为：
刷新控制寄存器 ， 用来控制SDRAM的刷新模式和刷新频率 。我们知道 ， SDRAM中的存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失 ， 所以就要配置刷新控制寄存器 。
所以 ， 寄存器要或运算的值为：
文章插图
MRSR
SDRAM模式设置寄存器
只有CL的值是可以修改的 ， 查询芯片手册：
可知 ， CL可以是或者是 ， 保险起见 ， 值为：011
所以 ， MRSR寄存器要或运算的值为：
/**********************************************************************************************************************/
综上所述 ， 对SDRAM初始化的代码为：
void SDRAM_Init(void){/* 对BANK6进行配置 以访问SDRAM */BWSCON|= 0x02000000;//对SDRAM使用数据掩码、不使用WAIT信号、设置BANK6位宽32bitBANKCON6 = 0x00018005;//BANK6外接SDRAM、行列信号间延迟3clocks、设置列地址位数REFRESH= 0x008c07a3;//配置刷新模式及刷新计数值BANKSIZE = 0x000000b1;//设置BANK6大小为64MBMRSRB6= 0x00000030;//设置CL为3clocks}三.读写SDRAM
对SDRAM进行配置之后 ， 进行读写操作 ， 看看写进去的值和读出来的值是否统一 。
测试就直接写在main.c中吧：
#include "s3c2440_soc.h"#include "uart.h"void SDRAM_Init(void){/* 对BANK6进行配置 以访问SDRAM */BWSCON|= 0x02000000;//对SDRAM使用数据掩码、不使用WAIT信号、设置BANK6位宽32bitBANKCON6 = 0x00018005;//BANK6外接SDRAM、行列信号间延迟3clocks、设置列地址位数REFRESH= 0x008c07a3;//配置刷新模式及刷新计数值BANKSIZE = 0x000000b1;//设置BANK6大小为64MBMRSRB6= 0x00000030;//设置CL为3clocks}int SDRAM_Test(void){/* BANK6 基地址0x30000000 */volatile unsigned char *p = (volatile unsigned char *)(0x30000000);int n;/* 写入20Byte数据 */for( n=0;n
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