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等离子刻蚀机【等离子刻蚀机】等离子刻蚀机 ， 又叫等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、电浆刻蚀机、等离子表面处理仪、等离子清洗系统等 。等离子刻蚀 ， 是乾法刻蚀中最常见的一种形式 ， 其原理是暴露在电子区域的气体形成电浆 ， 由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体 ， 从而形成了等离子或离子 ， 电离气体原子通过电场加速时 ， 会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面 。某种程度来讲 ， 等离子清洗实质上是电浆刻蚀的一种较轻微的情况 。进行乾式蚀刻工艺的设备包括反应室、电源、真空部分 。工件送入被真空泵抽空的反应室 。气体被导入并与电浆进行交换 。电浆在工件表面发生反应 ， 反应的挥发性副产物被真空泵抽走 。电浆刻蚀工艺实际上便是一种反应性等离子工艺 。近期的发展是在反应室的内部安装成搁架形式 ， 这种设计的是富有弹性的 ， 用户可以移去架子来配置合适的电浆的蚀刻方法：反应性电浆（RIE） ， 顺流电浆（downstream） ， 直接电浆（direction plasma） 。
基本介绍中文名：等离子刻蚀机
外文名：Plasma etching machine
别名：离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机
最新型号：RIE反应离子刻蚀机-FA2000
新品功能：FA2000主要用于微电子、光电子
蚀刻方法：反应性电浆 ， 顺流电浆
工艺频率：30 kHz和13.56 MHz射频电源
重量：约45公斤
产品介绍原理感应耦合电浆刻蚀法（Inductively Coupled Plasma Etch ， 简称ICPE）是化学过程和物理过程共同作用的结果 。它的基本原理是在真空低气压下 ， ICP 射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈 ， 以一定比例的混合刻蚀气体经耦合辉光放电 ， 产生高密度的电浆 ， 在下电极的RF 射频作用下 ， 这些电浆对基片表面进行轰击 ， 基片图形区域的半导体材料的化学键被打断 ， 与刻蚀气体生成挥发性物质 ， 以气体形式脱离基片 ， 从真空管路被抽走 。结构ICP 设备主要包括预真空室、刻蚀腔、供气系统和真空系统四部分 。（1）预真空室预真空室的作用是确保刻蚀腔内维持在设定的真空度 ， 不受外界环境（如：粉尘、水汽）的影响 ， 将危险性气体与洁净厂房隔离开来 。它由盖板、机械手、传动机构、隔离门等组成 。（2）刻蚀腔体刻蚀腔体是ICP 刻蚀设备的核心结构 ， 它对刻蚀速率、刻蚀的垂直度以及粗糙度都有直接的影响 。刻蚀腔的主要组成有：上电极、ICP 射频单元、RF 射频单元、下电极系统、控温系统等组成 。（3）供气系统供气系统是向刻蚀腔体输送各种刻蚀气体 ， 通过压力控制器（PC）和质量流量控制器（MFC）精準的控制气体的流速和流量 。气体供应系统由气源瓶、气体输送管道、控制系统、混合单元等组成 。（4）真空系统真空系统有两套 ， 分别用于预真空室和刻蚀腔体 。预真空室由机械泵单独抽真空 ， 只有在预真空室真空度达到设定值时 ， 才能打开隔离门 ， 进行传送片 。刻蚀腔体的真空由机械泵和分子泵共同提供 ， 刻蚀腔体反应生成的气体也由真空系统排空 。影响因素
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刻蚀率–气压（Pressure） 。–温度（Temperature）提高温度会提高刻蚀率 。–Micro-loading–刻蚀后腐蚀（Post-etch corrosion） 。–残留物（residual） 。