文章插图
原子体积(立方厘米/摩尔)13.6相对原子质量72.64莫氏硬度6声音在其中的传播速率(m/S)5400密度5.35克/立方厘米熔点938.25℃沸点2830℃热光係数dn/dT≈0.0004/K (25~150℃)原子半径22皮米,Ge4+半径53皮米 。晶体结构:晶胞为面心立方晶胞,每个晶胞含有4个金属原子 。晶胞参数如下:a = 565.75 pmb = 565.75 pmc = 565.75 pmα = 90°β = 90°γ = 90°据X射线研究证明,锗晶体里的原子排列与金刚石差不多,结构决定性能,所以锗与金刚石一样硬而且脆 。CAS号7440-56-4元素符号Ge原子序数32质子数32核电荷数32中子数41电子数32原子核亏损质量0.96603u摩尔质量73所属周期4所属族数IVA外围电子层排布4s2 4p2电子层K-L-M-N价电子排布2-8-18-4氧化态Ge+2,Ge+4化学键能:(kJ /mol)Ge-H 288Ge-H 288Ge-O 363Ge-F 464Ge-Cl 340Ge-Ge 163电离能(kJ/ mol) :M - M+ 762.1M+ - M2+ 1537M2+ - M3+ 3302M3+ - M4+ 4410M4+ - M5+ 9020M5+ - M6+ 11900M6+ - M7+ 15000M7+ - M8+ 18200M8+ - M9+ 21800M9+ - M10+ 27000导电性锗,就其导电的本领而言,优于一般非金属,劣于一般金属,这在物理学上称为“半导体”,对固体物理和固体电子学的发展有重要作用 。锗有着良好的半导体性质,如电子迁移率、空穴迁移率等等 。锗的发展仍具有很大的潜力 。化学性质基本信息锗化学性质稳定,常温下不与空气或水蒸汽作用,但在600~700℃时,很快生成二氧化锗 。与盐酸、稀硫酸不起作用 。浓硫酸在加热时,锗会缓慢溶解 。在硝酸、王水中,锗易溶解 。硷溶液与锗的作用很弱,但熔融的硷在空气中,能使锗迅速溶解 。锗与碳不起作用,所以在石墨坩埚中熔化,不会被碳所污染 。锗在元素周期表上的位置正好夹在金属与非金属之间,因此具有许多类似于非金属的性质,这在化学上称为“亚金属”,外层电子排布为4s24p2 。但它的化学性质类似于临近族的元素,尤其是砷和锑 。化学上或毒物学上重要的锗化合物很少 。锗的二氧化物,一种微溶于水的白色粉末,形成锗酸,这类似于硅酸 。四氯化锗是一种不稳定的液体,四氟化锗是一种气体,它们很容易在水中水解 。氢化锗(锗烷)是一种相对稳定的气体 。有机锗化合物,烷基可以替换个多个Ge原子,和锡、汞、砷等类似,但毒性小的多 。锗元素及其二氧化物毒性不强,四卤化锗是刺激性的,氢化锗毒性最强 。锗不溶于稀酸及硷,但溶于浓硫酸 。锗在室温下是稳定的,但也会生成GeO单层膜,时间长了会逐渐变成GeO2单层膜 。而当锗的表面吸附了水蒸气便破坏了氧化膜的钝化性质,而生成厚的氧化物 。锗在较高温度下便氧化,且伴随有失重的现象,原因是生成了GeO,因其有较强的挥发性 。研究者研究了锗表面氧化的过程,先在600℃时用CO还原锗,以排除锗表面的结合氧或吸附氧 。再在25~400℃,10kPa的氧压下氧化锗,仅1min即形成了第一氧化层 。当温度超过250℃很快形成第二氧化层 。再升高温度,氧化速度显着变慢 。在400℃氧化3h,形成厚度为1.75nm的GeO2膜 。锗在不同溶剂中的腐蚀溶解行为不同 。n型锗的溶解电位比p型略正,所以在相同溶液中前者的溶解速度较快 。锗易溶于加氧化剂的热酸、热硷和H2O2中 。难溶于稀硫酸、盐酸和冷硷液 。锗在100℃的水中是不溶的,而在室温下饱和氧的水中,溶解速度接近1ug/(cm.h) 。H2O2对锗的溶解室温下3%的H2O2能缓慢地溶解块状的锗,升温到90~100℃时溶解速度加快 。n型锗在100℃的H2O2中的溶解速度受H2O2浓度的影响 。(1)锗被氧化为GeO,在表面形成单层GeO Ge+H2O2=GeO(2)进一步氧化为GeO2 GeO+H2O2=GeO2+H2O(3)GeO2+H2O=H2GeO3当溶液中有硷存在时,锗酸与硷作用生成锗酸钠,而加速锗的溶解 。H2GeO3+NaOH=Na2GeO3+2H2O锗在硫酸中的溶解90℃时浓硫酸与块状锗有微量反应,历时一周锗的损失量为1% 。锗在硝酸中的溶解浓硝酸能腐蚀块状锗的表面 。锗在硝酸中的溶解速度受硝酸的浓度、搅拌速度、温度等因素的影响 。锗与硷液的作用氢氧化钠和氢氧化钾水溶液与锗的作用很慢,但是熔融的氢氧化钠、氢氧化钾、Na2CO3、Na2O2、NaB4O7能迅速地溶解各种形态的锗,生成硷金属的锗酸盐 。5.锗在某些盐溶液中的溶解锗可溶于某些电解质溶液,如硫酸钠、钾的氯化物、硝酸盐、氯化铯、氯化镧等 。与其他物质的作用加热时粉状的锗在氯和溴中能燃烧,生产四卤化锗,加热时乾燥的HCl气体能腐蚀锗 。化合物氧化物锗最常出现的氧化态是+4,但是已知它在不少化合物中的氧化态为+2 。其他的氧化态则很罕见,例如化合物Ge2Cl6中为+3,在氧化层表面测到的+3与+1氧化态 。多种含锗的阴性簇离子(津特耳离子)已经被製备出来,当中包括Ge4、Ge9、Ge9及[(Ge9)2],其中一种方法是在乙二胺或穴醚的催化下,从置于液态氨的锗与硷金属合金中进行提取,这些离子中锗的氧化态并非整数——这点跟臭氧根离子中的氧一样 。在250℃时,锗会缓慢地氧化成GeO2 。锗共有两种氧化物:二氧化锗和一氧化锗 。焙烧二硫化锗(GeS2)后可得二氧化锗,二氧化锗是一种白色的粉末,微溶于水,但与硷反应并生成锗酸盐 。当二氧化锗与锗金属发生高温反应时,会生成一氧化锗,熔点1,115℃,密度4.25克/厘米,微溶于水 。二氧化锗GeO2,具有金刚石型的四方晶型和介稳的α–石英型的六方晶型,熔点1,086℃,密度6.24克/厘米,不溶于水,二氧化锗在常温或在加热条件下都比较稳定,难溶于酸,易溶于强硷溶液,生成锗(IV)酸盐,它主要用于製造高折射率的光学玻璃,也是製备金属锗的原料 。GeS2+2O2=GeO2+SO2GeO2+Ge=2GeOGeO2+2NaOH=Na2GeO3+H2O一氧化锗GeO,黑色针状晶体,700℃分解,不溶于水,易溶于酸和浓强硷溶液;在空气中加热易转化成二氧化锗,隔绝空气加热易发生歧化反应 。在加热条件下,用氢气或一氧化碳还原二氧化锗可製备一氧化锗 。GeO2+H2=GeO+H2O氧族化合物锗还能与氧族元素生成二元化合物,例如二硫化物、二硒化物(GeSe2)、一硫化物(GeS)、一硒化物(GeSe)及碲化物(GeTe) 。把硫化氢气体通过含Ge(IV)的浓酸溶液时,会生成白色沉澱物,即二硫化锗 。二硫化锗能很好地溶于水、苛性钠溶液及硷金属硫化物溶液中 。但是,它不溶于带酸性的水中,温克勒就是因为这项性质才发现了锗 。把二硫化锗置于氢气流中加热,会生成一硫化锗(GeS),它升华后会形成一圈色暗但具金属光泽的薄层,它可溶于苛性钠溶液中 。把一硫化锗、硷金属碳酸盐与硫一起加热后,会生成一种锗盐化合物,叫硫代锗酸盐 。Na4GeO4+4H2SO4→Ge(SO4)2+2Na2SO4+4H2OGe(SO4)2+2H2S→GeS2+2H2SO4 卤化物锗共有四种已知的四卤化物 。在正常状况下四碘化锗(GeI4)为固体,四氟化锗(GeF4)为气体,其余两种为挥发性液体 。把锗与氯气一块加热,会得到一种沸点为83.1℃的无色发烟液体,即四氯化锗(GeCl4):无色液体,在湿空气中因水解而产生烟雾,易挥发,其熔点为-51.50℃,沸点为86.55℃,密度为1.88克/厘米,溶于乙醇和乙醚,遇水发生水解 。Ge+2Cl2→△GeCl4GeCl4+4H2O→Ge(OH)4+4HCl锗的所有四卤化物都能很容易地被水解,生成含水二氧化锗 。四氯化锗用于製备有机锗化合物 。跟四卤化物相反的是,全部四种已知的二卤化物,皆为聚合固体 。另外已知的卤化物还包括Ge2Cl6及GenCl2n+2 。还有一种奇特的化合物Ge6Cl16,里面含有新戊烷结构的Ge5Cl12 。有机锗化合物温克勒于1887年合成出第一种有机锗化合物(organogermanium compound),四氯化锗与二乙基锌反应生成四乙基锗(Ge(C2H5)4) 。R4Ge型(其中R为烃基)的有机锗烷,如四甲基锗(Ge(CH3)4)及四乙基锗,是由最便宜的锗前驱物四氯化锗及甲基亲核剂反应而成 。有机锗氢化物,如异丁基锗烷((CH3)2CHCH2GeH3)的危险性比较低,因此半导体工业会用液体的氢化物来取代气体的甲锗烷 。有机锗化合物2-羧乙基锗倍半氧烷(2-carboxyethylgermasesquioxane),于1970年被发现,曾经有一段时间被用作膳食补充剂,当时认为它可能对肿瘤有疗效 。甲锗烷(GeH4)是一种结构与甲烷相近的化合物 。多锗烷(即与烷相似的锗化合物)的化学式为GenH2n+2,现时仍没有发现n大于五的多锗烷 。相对于硅烷,锗烷的挥发性和活性都较低 。GeH4在液态氨中与硷金属反应后,会产生白色的MGeH3晶体,当中含有GeH3阴离子 。含一、二、三个卤素原子的氢卤化锗,皆为无色的活性液体 。製取方法锗的提取方法是首先将锗的富集物用浓盐酸氯化,製取四氯化锗,再用盐酸溶剂萃取法除去主要的杂质砷,然后经石英塔两次精馏提纯,再经高纯盐酸洗涤,可得到高纯四氯化锗,用高纯水使四氯化锗水解,得到高纯二氧化锗 。一些杂质会进入水解母液,所以水解过程也是提纯过程 。纯二氧化锗经烘乾煅烧,在还原炉的石英管内用氢气于650-680℃还原得到金属锗 。半导体工业用的高纯锗(杂质少于1/1010)可以用区域熔炼技术获得 。4HCl+GeO2→GeCl4+2H2OGeCl4+(n+2)H2O→GeO2·nH2O+4HClGeO2+2H2→Ge+2H2O主要用途工业用途锗具备多方面的特殊性质,在半导体、航空航天测控、核物理探测、光纤通讯、红外光学、太阳能电池、化学催化剂、生物医学等领域都有广泛而重要的套用,是一种重要的战略资源 。在电子工业中,在合金预处理中,在光学工业上,还可以作为催化剂 。
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