沟槽CVD氧化物填充

文章插图
氧化物平坦化

化学机械抛光
氮化物去除

工艺优点：

更有效的器件的需要 ， 尤其是对DRAM器件而言 。
对电晶体隔离而言 ， 表面积显着减小 。
超强的闩锁保护能力 。
对沟道没有侵蚀 。
与CMP的兼容 。

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