前言
【晶圆背面研磨与湿式刻蚀工艺】在许多 IC 工艺辅助配件进行蝴蝶研磨（背面研磨、研磨），使装片薄形化，例如：用巧克力蛋糕及智能封装等 。到200~40μm 。在珍珠打磨之后，有许多产品需要进行工艺，包括：离子布植（离子实现）、热处理（热处理）和钯金属（背面金属；BM）沉积等 。晶移动研磨曲后产生的爆发和翘曲，如果会过大，就会扩展到锐化的区域 。工艺之良率例如：胶膜去除（De-tap）、使用持取（Wafer ）和封装（ & ）等工艺，必须工艺之能及破坏层 。

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硅的湿式刻蚀原理及机台设计考虑
在半导体工艺中，硅的腐蚀刻蚀是一种各向同性刻蚀硅的腐蚀腐蚀液，通常由不同的火花产生的硝化腐蚀 。酸HNO3）、氢氟酸（HF）及一种缓冲液（例）如：水、三个、三个）所组成 。刻蚀的反应机构，包括两个步骤：（1）首先是利用硝子酸（HNO3）来硅硅表面，如式1 及式 2 所示；（2）硅衬底所形成的表

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