非晶硅薄膜电池光伏一体化幕墙系统 非晶硅薄膜电池

今天小编给各位分享非晶硅薄膜电池(非晶硅薄膜电池光伏一体化幕墙系统),如果能碰巧解决你现在面临的问题,别忘了关注小站,我们一起开始吧!非晶硅太阳能的利与弊
优势:
1.非晶硅具有高的光吸收系数 。特别是在0.3-0.75um的可见光波段,其吸收系数比单晶硅高一个数量级 。因此,它对太阳辐射的吸收率比单晶硅高40倍左右,用一层很薄的非晶硅薄膜(约1um厚)就可以吸收90%的有用太阳能 。这是非晶硅材料最重要的特点,也是它成为低成本太阳能电池的最重要因素 。
2.非晶硅的带隙宽度大于单晶硅 。在不同的制备条件下,禁带宽度在1.5-2.0eV范围内变化,因此非晶硅太阳能电池的开路电压较高 。
3.制备非晶硅的工艺和设备简单,沉积温度低,时间短,适合大规模生产 。一般 *** 单晶硅电池需要1000多度,而 *** 非晶硅电池只需要200度左右 。
4.非晶硅几乎可以沉积在任何衬底上,包括廉价的玻璃衬底,而且由于不具备晶体硅所要求的周期性原子排列,容易实现大规模,因此制备晶体时必须考虑的材料与衬底的晶格失配可以忽略 。
5.制备非晶硅太阳能电池的能耗较少,约100千瓦时,能耗回收期比单晶硅电池短得多 。
缺点:非晶硅太阳能电池板的光电转换率不如多晶硅和单晶硅,非晶硅太阳能电池板的光电转换效率约为单晶硅和多晶硅的一半 。
异质结电池的现状和未来发展
异质结电池的现状和未来发展是好的 。相比目前主流的高效光伏电池PERC,异质结电池的核心工艺只包括植绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备和电极制备四个步骤,因此人力成本相对较低 。与PERC成本结构一致,80%的成本来自硅片和BOM的成本 。
PIN三级非晶硅和非晶硅锗薄膜太阳能电池的原理
PIN三段非晶硅和非晶硅锗薄膜太阳能电池的工作原理是基于半导体PN结的光伏效应 。
【非晶硅薄膜电池光伏一体化幕墙系统非晶硅薄膜电池】所谓光伏效应,就是物体受到光照时,物体内电荷分布发生变化,产生电动势和电流的效应 。当太阳光或其他光线照射半导体PN结时,PN结两侧会出现一个电压,称为光伏电压 。光伏效应:当光照射pn结时,产生电子-空空空穴对 。半导体中pn结附近产生的载流子不会复合,到达空之间的电荷区 。由于内部电场的吸引,电子流入N区,空穴空空流入P区,导致多余的电子储存在N区 。它们在pn结附近形成与势垒方向相反的光生电场 。光伏场不仅部分抵消了势垒电场,还使P区带正电,N区带负电,N区和P区之间的薄层产生电动势,这就是光伏效应 。当能量施加到纯硅上时(比如以热的形式),会导致几个电子脱离它们的共价键,离开原子 。电子每次离开都会留下空 空个空穴 。然后,这些电子会在晶格中四处游走,寻找另一个空空空穴落脚 。这些电子被称为自由载流子,它们可以携带电流 。当纯硅与磷原子混合时,磷原子的一些“额外”电子(最外面的五个电子)可以以很小的能量逃逸 。掺入磷原子后,得到的硅变成了N型(“N”表示负电),太阳能电池只有一部分是N型 。另一部分硅掺杂硼,硼的最外层电子层只有三个电子而不是四个,这样就可以得到P型硅 。P型硅中没有自由电子(“P”代表正电荷),但有自由空空空穴 。空空空穴实际上是由电子的离去而产生的,所以它们带有相反(正)的电荷 。它们像电子一样四处移动 。当n型硅和p型硅接触时,形成电场 。在结处,它们确实混合形成了势垒,使得N侧的电子越来越难以到达P侧 。最终,我们会达到一个平衡状态,这样我们就有了一个分开两边的电场 。