欧姆接触方法有几种什么叫欧姆接触( 三 ) _生活百科

改进措施
除了高掺杂和引入复合中心实现欧姆接触的措施外，由窄带隙半导体构成的慢变结也可以实现与宽带隙半导体的欧姆接触。比如用MBE技术制作的n-InAs/n-GaAs或n-Ge/n-GaAs异质结就是很好的欧姆接触。
而Si GaAs器件及其IC欧姆接触技术已经比较成熟，但在p型ⅲ-ⅴ半导体上制作欧姆接触并不容易，因为p型ⅲ-ⅴ半导体(如p-AlGaAs)在退火或in 空气体中比n型半导体表面更容易氧化。此外，许多宽带隙半导体(如CdS、AlN、SiC、GaN)的欧姆接触在技术上还不成熟。原因是这些半导体的自补偿效应(即大量晶体本征缺陷对施主杂质或受主杂质的自发补偿效应)非常严重。它们是所谓的单极半导体，很难改变它们的电阻率，更难改变它们的型号，因为它们想用高掺杂来获得欧姆。这里可行的方法是加一层高掺杂(同类型)的窄带隙半导体，形成异质结，实现欧姆接触。
重要性
与接触电阻相关的RC时间常数将限制器件的频率响应。引线充放电:高时钟速率数字电子设备能量耗散的主要原因。接触电阻导致能量耗散(如太阳能电池)，在低频和由不常见的半导体制成的模拟电路中表现为焦耳热。金属接触制备方法的建立是任何新兴半导体技术发展的重要组成部分。金属的电迁移和分层也是电子器件寿命的限制因素之一。

欧姆接触方法有几种 什么叫欧姆接触( 三 )

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