Understanding CMOS Image Sensor(26)


Understanding CMOS Image Sensor

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这种输出方式被 称为 WDR技术 , 下面是OVWDR的帧结构示意图 , 
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SONY支持WDR的方式称为DOL( )技术 , 它支持两种像素输出方式 , 方式1是在同一个码流中替输出 , 方式2是使用两个码流并行输出 , 如下图所示 。
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SONY DOL -交替输出方式
在单码流输出方式中 , 
第4n组数据是第2n行像素的长曝光数据(LEF:R/Gr/R/Gr/...);
第4n+1组数据是第2n-4行像素的短曝光数据(SEF:Gb/B/Gb/B/....);
第4n+2组数据是第2n+1行像素的长曝光数据(LEF:Gb/B/Gb/B/...);
第4n+3组数据是第2n-3行像素的短曝光数据(SEF:Gb/B/Gb/B/....);
以此类推 。。。
需要注意的是 , 短曝光像素相比长曝光像素有固定的4行延迟 , 所以最先输出的四组短曝光数据是无效的 。
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SONY DOL - main/sub并行输出方式
3.14.2
第二种模式又称BME() 。这种每隔两行的曝光时间分别设为短曝光和长曝光 。然后融合长短曝光的两帧图像 , 成为行数减半的一帧WDR图像 。空间分辨率损失了一半 , 就好像是做了 , 所以叫做BME 。SONY和使用了这一技术 。
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3.14.3
第三种模式主要用于解决WDR的短曝光容易遇到的问题 , 需要针对短曝光做特别的斩波支持 , 具体可参考本文1.10小节 。
3.14.4 Lin-log
第四种模式是使像素具备log响应曲线 , 自动压缩输入信号的动态范围 。当输入信号小于一定阈值时 , 像素表现为线性响应() , 当输入大于该阈值后 , 输出的阻尼正比于信号强度 , 输出表现为log特性 。
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当PD表现为log特性时 , 电压特性用以下公式描述 。
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这种像素设计的主要缺点是小信号时响应较慢 , 信噪比低 。另外 , 需要后端ISP 配合解码才能使像素值恢复线性 。
一家叫做New(NIT) 的法国公司有生产log像素的 , 2014年公开的像素响应特性如下图所示 。
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3.14.5 Dual-diode
第五种模式又称SME() 。这种在空间上以棋盘格的形式排列高感度和低感度两种像素 , 通过算法处理融合一帧WDR图像 。
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这种方式的主要缺陷是的有效分辨率下降 , 合成后的图像容易出现伪影 。
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写到此处先悼念一下笔者的好友 , Dr. , 一个特别温和友善的意大利人 , 在2010年加入AV之前曾在某公司设计WDR  , 就是用的这种WDR模式 。曾有导演用他设计的拍摄了一部电影 , 就是下面这个 。