陈星弼院士去世怎么回事？陈星弼院士个人资料去世原因生前有哪些成 _陈星

我国功率半导体领域领军人物、九三学会会员、中国科学院院士、电子科技大学教授陈兴弼于12月4日17时10分去世。四川成都，89岁。
陈兴弼1931年1月28日出生于上海，祖籍浙江浦江。1947年至1952年就读于同济大学电机系，先后在厦门大学、东南大学、成都电讯工程学院（现电子科技大学）工作。In 1999, he wasas anof theof , and in 2019, he wasas a lifeof theofand(IEEE Life).
陈星碧是我国功率半导体领域的领军人物和大师。在中国、美国等国家发表学术论文200余篇，获得专利40余项。他是世界上第一个提出超结耐压层理论的科学家。他的超结发明专利打破了传统的“硅极限”，被国际学术界誉为“高压功率器件的新里程碑” 。发明专利成功转让并产业化，目前全球超结器件年市场销售额超过10亿美元。陈星弼获得多项荣誉，其中国家发明奖和科技进步奖2项，省部级奖励13项。2015年获得IEEE ISPSD颁发的最高荣誉“国际功率半导体先锋奖”，成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。2018年入选首届IEEE ISPSD名人堂，成为首位入选名人堂的华人科学家。
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