8.1 器件ID和指令集表( 八 ) _指令

图34 整片擦除指令（左为SPI模式，右为QPI模式）
8.2.21 擦除/编程挂起（0x75）
擦除/编程挂起指令0x75，允许系统中断一个扇区或者块的擦除操作，或者中断一个页的编程操作，此后，系统可以从芯片中读取数据，或者对其他的扇区或者块进行编程/擦除。擦除/编程指令序列参见图35a和35b 。
写状态寄存器指令（0x01）和擦除指令（0x20，0x52，0xD8，0xC7，0x60，0x44）在擦除挂起期间不能再使用。擦除挂起只能够应用于扇区擦除和块擦除操作。如果在整片擦除过程中，擦除挂起指令会被忽略。写状态寄存器指令（0x01，0x31，0x11）和编程指令（0x02，0x32，0x42）在编程挂起期间不能使用。编程挂起指令只能够在页编程或者四输入页编程操作中使用。
{擦除挂起后可以编程，编程挂起后可以擦除；擦除挂起后不能擦除，编程挂起后不能再编程}
擦除/编程挂起指令0x75仅在正进行扇区或者块擦除，或者正在进行页编程，并且状态寄存器的SUS=0且BUSY=1的情况下使用。如果SUS位为1，或者BUSY位为0，挂起指令将被忽略。挂起操作需要最大t_SUS（参见AC特性）时间来执行。在t_SUS时间之后，BUSY位将会从1清0，而SUS位则将会从0变为1 。如果刚刚一次挂起操作被恢复，则要求在上次的恢复指令0x7A之后最短t_SUS时间之内，不能再次发出挂起指令0x75 。
发生在挂起期间的意料之外的断电行为，将会复位器件，释放挂起状态。状态寄存器中的SUS位同样会被清为0 。被挂起操作的页/扇区/块中的数据可能已经被破坏。因此建议用户从系统设计角度考虑引入一些技术手段，保护编程/擦除挂起期间的数据完整性。
图35a 擦除/编程挂起指令（SPI模式）
图35b 擦除/编程挂起指令（QPI模式）
8.2.22 擦除/编程恢复（0x7A）
在使用擦除/编程挂起指令来挂起扇区/块擦除或者页编程操作后，必须使用擦除/编程恢复（0x7A）指令恢复操作。仅在状态寄存器中SUS位为1并且BUSY位为0的情况下，这种操作才会被接收。指令发出之后，SUS位会立刻从1变为0，而BUSY位会在200nS之内从0编程1，扇区/块擦除，或者页编程将会继续完成。如果SUS位为0，或者BUSY位为1，则恢复指令0x7A将会被器件忽略。擦除/编程恢复指令序列参见图36a和图36b 。
如果之前的擦除/编程挂起操作被不期望的掉电行为中断掉，则本恢复指令会被忽略。另外在一次恢复指令发出之后的t_SUS时间之内，不能够再次给出擦除/编程挂起指令。
图36a 擦除/编程恢复指令（SPI模式）
图36b 擦除/编程恢复指令（QPI模式）
8.2.23 下电（0xB9）
虽然正常操作时的待机电流已经很低，但是仍然可以通过下电指令更进一步降低待机电流。极低的功率消耗使得下电指令特别适用于电池供电的应用（参见AC特性中的ICC1和ICC2）。该指令通过拉低/CS发起，然后向器件发送指令码0xB9，参见图37和38 。
/CS引脚的拉高操作必须在第八个时钟位之后进行。如果没有这么做，下电指令不会被执行。在/CS拉高之后，将会在t_DP（参见AC特性）之后进入下电模式。在下电模式下，仅有释放下电/器件ID（0xAB）指令会被识别，该指令恢复器件为正常操作状态。所有其他指令都会被忽略。这些指令包括读状态寄存器指令，该指令在正常模式下的任何时刻都是有效的。在下电模式下，忽略除1条指令外的其他的所有指令，有利于最大程度地进行写保护。器件上电后的正常模式下，待机电流是ICC1 。
图37a 深度下电指令（SPI模式）
图37b 深度下电指令（QPI模式）
8.2.24 释放下电/器件ID（0xAB）
释放下电/器件ID指令是个多用途指令。其可以将器件从下电模式中释放，或者从器件中获取电气ID序号。