MOS管的工作原理及常见的封装( 二 ) _电压

对于P型MOS管（图右）原理相反，当Vgs
总结一下：
N型MOS管，Vgs>2V就开始导通，最大电压（一般技术文档会给出值）>Vgs>9V 就完全导通了）
P型MOS管，Vgs 注：里面的Vgs小于负值，说白了就是Vsg大于正值，由于便于统一，就规定栅源电压Vgs了。
摘自：百度图片（MOS管结构图解）
摘自：百度图片（MOS管导通图解）
加强理解MOS管
更深一步理理解MOS管，整理了一下别人写的文章，感觉写的不错，拿来分享一下！
首先看一下MOS管的内部构造图及导通下的内部结构的状态（下图很形象P型，N型上图有写，PS:下图只有一个，我也不会画，将就一点吧！哈哈哈）
和上图（MOS管导通图解一样）
上文有写，当MOS导通时，栅极氧化物两边会形成电容，氧化物应该像一个极板。这在高频下会阻碍MO管的导通响应时间，因为MOS管时电压导通源漏极，而电容是容性原件，会减缓电压的突变，当频率很高时，MOS管就会出现异常，不过我是遇不到，哈哈！
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如何区分MOS管的源极和漏极？
MOS管结构示意图中，我们可以看出左右是对称的，难免会有人问怎么区分源极和漏极呢？其实原理上，源极和漏极确实是对称的，是不区分的。但在实际应用中，厂家一般在源极和漏极之间连接一个二极管，起保护作用，正是这个二极管决定了源极和漏极，这样，封装也就固定了，便于实用。
什么是增强型MOS管？
增强型是通过“加厚”导电沟道的厚度来导通，由上图可以看出，栅极电压越低，则p型源、漏极的正离子就越靠近中间，n衬底的负离子就越远离栅极，栅极电压达到一个值，叫阀值或坎压时，由p型游离出来的正离子连在一起，形成通道，就是图示效果。因此，容易理解，栅极电压必须低到一定程度才能导通，电压越低，通道越厚，导通电阻越小。由于电场的强度与距离平方成正比，因此，电场强到一定程度之后，电压下降引起的沟道加厚就不明显了，也是因为n型负离子的“退让”是越来越难的。耗尽型的是事先做出一个导通层，用栅极来加厚或者减薄来控制源漏的导通。但这种管子一般不生产，在市面基本见不到。所以，大家平时说mos管，就默认是增强型的。
MOS管的金属氧化物是什么？
MOS管结构示意图中标出的金属氧化物膜位于上边部位，这个膜是绝缘的，用来电气隔离，使得栅极只能形成电场，不能通过直流电，因此是用电压控制的。在直流电气上，栅极和源漏极是断路。不难理解，这个膜越薄：电场作用越好、坎压越小、相同栅极电压时导通能力越强。坏处是：越容易击穿、工艺制作难度越大而价格越贵。
MOS管的寄生电容是什么？
MOS管结构示意图中的栅极通过金属氧化物与衬底形成一个电容，越是高品质的mos，膜越薄，寄生电容越大，经常mos管的寄生电容达到nF级。这个参数是mos管选择时至关重要的参数之一，必须考虑清楚。MOS管用于控制大电流通断，经常被要求数十K乃至数M的开关频率，在这种用途中，栅极信号具有交流特征，频率越高，交流成分越大，寄生电容就能通过交流电流的形式通过电流，形成栅极电流。消耗的电能、产生的热量不可忽视，甚至成为主要问题。为了追求高速，需要强大的栅极驱动，也是这个道理。试想，弱驱动信号瞬间变为高电平，但是为了“灌满”寄生电容需要时间，就会产生上升沿变缓，对开关频率形成重大威胁直至不能工作。
MOS管如何工作在放大区？
MOS管也能工作在放大区，而且很常见。做镜像电流源、运放、反馈控制等，都是利用MOS管工作在放大区，由于mos管的特性，当沟道处于似通非通时，栅极电压直接影响沟道的导电能力，呈现一定的线性关系。由于栅极与源漏隔离，因此其输入阻抗可视为无穷大，当然，随频率增加阻抗就越来越小，一定频率时，就变得不可忽视。这个高阻抗特点被广泛用于运放，运放分析的虚连、虚断两个重要原则就是基于这个特点。这是三极管不可比拟的